现有研究表明：国网构建工作肖特基接触传感器更适合于检测低浓度生物分子，而欧姆接触传感器在检测神经电信号时具有更强的灵敏度。

这项工作拓宽了2D-vdW-MS异质结构的应用潜力，重庆质效为进一步研究基于2D材料的低功耗电子器件提供了支持。电力图4InSe/T-VTe2异质结能带结构和传输特性曲线a）InSe/T-VTe2异质结的能带结构。

然而，分析由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态，分析传统的金属：半导体（MS）界面通常遭受强费米尔钉扎，从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日，清华大学精密仪器系李黄龙副教授（通讯作者）及其博士后吕娟（第一作者）在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。文献链接：模型ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors,2019,Adv.Mater.DOI:10.1002/adma.201906000.清华大学精密仪器系李黄龙副教授团队致力于低功耗、模型高速度、新架构芯片的元器件和材料研究，近年来在神经形态器件（TrulyConcomitantandIndependentlyExpressedShort‐andLong‐TermPlasticityinaBi2O2Se‐BasedThree‐TerminalMemristor,Adv.Mater.2019,31,1805769)和超陡亚阈值摆幅晶体管(ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors,Adv.Mater.2019,1906000)方面取得重要的阶段性突破。提升石墨烯和InSe的电子态分别用红色和黑色曲线表示。

审计【小结】本文研究了二维vdW-MS异质结在超陡亚阈值摆幅CS-FET中的应用潜力。国网构建工作这项工作为基于二维材料的低功耗电子器件提供了新的机遇。

除了选择具有所需态密度-能量关系（D(E)）的源材料外，重庆质效设计栅可调沟道势垒的源-沟道界面对CS-FET至关重要。

研究发现，电力石墨烯可以通过与InSe的界面作用，在Dirac点附近出现自发的p型掺杂和微开的带隙，导致热载流子密度随n型沟道势垒的增加呈指数衰减。分析e）SOR生物传感器I-V曲线随TENG电压处理次数的变化图。

模型【图文导读】图1肖特基/欧姆接触可逆转变多功能生物传感器概念图肖特基/欧姆接触可逆转变生物传感器（SOR生物传感器）用于高灵敏度神经递质和神经电脉冲检测。提升作者使用同一个SOR生物传感器在肖特基接触状态实现了对低浓度多巴胺分子的检测（0.5µmol/mL）。

在本论文中，审计同一个SOR生物传感器在肖特基接触状态实现了对低浓度多巴胺（0.5µmolmL-1）的高灵敏度检测，审计经TENG处理转变为欧姆接触后，SOR生物传感器对神经电脉冲的灵敏度提高了16倍。b）SOR器件转变前后的I–V曲线变化图（肖特基接触：国网构建工作橙色，转变后的欧姆接触：紫色）。